實驗目的：
霍爾效應實驗裝置(半導體)
● 恒定磁場條件下，測量霍爾電壓與霍爾電流的函數關係，從而確定載流子的密度和遷移率。
● 恒定電流條件下，測量霍爾電壓與磁場強度的函數關係，從而測定霍爾係數。

實驗原理：
將一個長方體狀半導體或攜帶電流的金屬片導體放置於均勻磁場B 中，如果在這個矩形樣品中通以強度為I 的電流，那麼就會因為霍爾效應而在這個金屬樣品的垂直於電流和磁場的方向上產生一定大小的電勢差，即為霍爾電壓。

儀器特點：
● 穩定的磁場。
● 開放性的結構。
● 可調探測器。
● 高靈敏度和穩定性的電壓放大器。
● 獨立且通用的電源模組。

實驗結果：

不同霍爾電流條件下霍爾電壓與磁場強度的關係( 見附件中圖號BEX-8509)

 
恒定電流下的霍爾電壓和磁場的關係（見附件圖號BEX-8508-1）

恒定磁場下的霍爾電壓和霍爾電流的關係（見附件圖號BEX-8508-2）

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